Транзистор k6a65d чем заменить

Транзистор k6a65d чем заменить

Наименование прибора: TK6A65D

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 650 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 20 nC

Время нарастания (tr): 25 ns

Выходная емкость (Cd): 100 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.11 Ohm

TK6A65D Datasheet (PDF)

0.1. tk6a65d.pdf Size:199K _toshiba

TK6A65D TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOS VII) TK6A65D Switching Regulator Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance: RDS (ON) = 0.95 (typ.) High forward transfer admittance: Yfs = 4.0 S (typ.) Low leakage current: IDSS = 10 A (max) (VDS = 650 V) Enhancement-mode: Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, mA)

0.2. tk6a65d.pdf Size:253K _inchange_semiconductor

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK6A65DITK6A65DFEATURESLow drain-source on-resistance:RDS(ON) = 0.95 (typ.)Enhancement mode:Vth = 2.0 to 4.0V (VDS = 10 V, avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T

8.1. tk6a65w.pdf Size:376K _toshiba

TK6A65WMOSFETs Silicon N-Channel MOS (DTMOS)TK6A65WTK6A65WTK6A65WTK6A65W1. Applications1. Applications1. Applications1. Applications Switching Voltage Regulators2. Features2. Features2. Features2. Features(1) Low drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.85 (typ.)by using Super Junction Structure : DTMOS(2) Easy to control Gate switching(3) Enhancement

8.2. tk6a65w.pdf Size:253K _inchange_semiconductor

INCHANGE SemiconductoriscN-Channel MOSFET Transistor TK6A65WITK6A65WFEATURESLow drain-source on-resistance: RDS(ON) = 0.85 (typ.)Enhancement mode: Vth = 2.5 to 3.5V (VDS = 10 V, avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONSwitching Voltage RegulatorsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(

Источник

Как подобрать замену для MOSFET-транзистора

Как подобрать замену для MOSFET-транзистора

Для большинства MOSFET-транзисторов достаточно просто подобрать аналоги, схожие по параметрам. Если заменить MOSFET-транзистор на такой же невозможно, то для поиска аналога необходимо:

Изучить схему включения MOSFET-транзистора для определения режима его работы (ключ в цепях коммутации, импульсное устройство, линейный стабилизатор и т.д.).

Найти даташит для неисправного MOSFET-транзистора и заполнить форму для подбора аналога на сайте.

Выбрать наиболее подходящий аналог MOSFET-транзистора, учитывая режим его работы в устройстве.

На что нужно обратить внимание

Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).

Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.

Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.

Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов

Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.

Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.

Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.

Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора

При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде.

Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой.

Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник.

Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.

Источник

Аналоги и замена зарубежных транзисторов

В публикации будут отображены аналоги и возможные замены для транзисторов зарубежного производства. Данная публикация будет пополняться по мере появления новых материалов.

Замена импортных транзисторов отечественными

Поиск транзистора для замены на сайте alltransistors.com

Для поиска эквивалентных замен транзисторов по параметрам можно воспользоваться формами на сайте alltransistors.com:

Ниже приведен пример поиска замены для транзистора NTE53.

Максимальные параметры транзистора из даташита:

Исходя из приведенных параметров и используя страничку поиска «Bipolar Transistor Cross-Reference Search» можно поискать похожие по параметрам транзисторы, вот пример заполнения формы, исходя из параметров полученных из даташита на NTE53:

После отправки формы было получено 15 результатов:

В зависимости о того в каком устройстве используется транзистор NTE53, нужно пересмотреть даташиты на все найденные транзисторы для замены и выбрать подходящий по быстродействию (если это параметр критичен там где будет использоваться транзистор).

Источник

TK6A65D, TO-220SIS

Информация для заказа
Номенклатурный номер 2010030911

Цена зависит от количества. Укажите требуемое количество и вам будут предложены лучшие цены и условия поставки.

Цены указаны с НДС, наличие указано на 09.12.2021 07:01

Поиск документации на TK6A65D

Представленная техническая информация носит справочный характер и не предназначена для использования в конструкторской документации. Для получения актуализированной информации отправьте запрос на адрес techno.ru

Посмотреть еще

Нужна помощь в выборе продукции или подборе аналога?
Обратитесь к нашему консультанту webmaster@platan.ru

Указано наличие на складе. Цены даны с учетом НДС. Приведенная информация носит справочный характер и не является публичной офертой в соответствии с пунктом 2 статьи 437 ГК РФ. При заказе товара через сайт Вам будет выставлен счет на оплату в режиме онлайн, товар по фиксированной цене забронирован на 3 рабочих дня.

Оплатить товар можно:

Мы работаем с разными грузовыми компаниями:

Забрать заказ можно в наших офисах:

Платан проводит строгую политику в области качества поставляемой продукции:

Источник