Транзистор к3115 чем заменить
Транзистор к3115 чем заменить
Наименование прибора: 2SK3115
Тип транзистора: MOSFET
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 35 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 12 ns
Выходная емкость (Cd): 200 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.9 Ohm
2SK3115 Datasheet (PDF)
0.1. 2sk3115b.pdf Size:264K _renesas
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3115SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTION The 2SK3115 is N-Channel DMOS FET device that features a low gate charge and excellent switching haracteristics, anddesigned for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter.ORDERING INFORMATIONFEATURES Low gate charge PART NUMBER PACKAGEQG = 2
8.1. 2sk3117.pdf Size:260K _toshiba
2SK3117 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (-MOSV) 2SK3117 Chopper Regulator DC-DC Converter, and Motor Drive Applications Unit: mm Low drain-source ON resistance : RDS (ON) = 0.21 (typ.) High forward transfer admittance : |Y | = 17 S (typ.) fs Low leakage current : I = 100 A (max) (V = 500 V) DSS DSS Enhancement-mode : Vth = 2.0
8.2. 2sk3119.pdf Size:149K _sanyo
Ordering number:ENN6098AN-Channel Silicon MOSFET2SK3119Ultrahigh-Speed Switching ApplicationsFeatures Package Dimensions Low ON resistance.unit:mm Ultrahigh-speed switching.2062A 2.5V drive.[2SK3119]4.51.51.60.40.53 2 10.41.53.0 1 : Gate2 : Drain0.753 : SourceSANYO : PCP(Bottom view)SpecificationsAbsolute Maximum Ratings at Ta = 25C
8.3. 2sk3114b.pdf Size:246K _renesas
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
8.4. 2sk3116b.pdf Size:265K _renesas
To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid Renesas Electronics document. We appreciate your understanding.
DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3114SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEORDERING INFORMATIONDESCRIPTION The 2SK3114 is N-channel DMOS FET device that features aPART NUMBER PACKAGElow gate charge and excellent switching characteristics, and2SK3114 Isolated TO-220designed for high voltage applications such as switching powersupply, AC adapter.FEATURES
DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3111SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3111 is N channel MOS FET device thatPART NUMBER PACKAGEfeatures a low on-state resistance and excellent2SK3111 TO-220ABswitching characteristics, and designed for high voltage2SK3111-S TO-262applications such as DC/DC converter, actuator dr
DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3116SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETDESCRIPTION ORDERING INFORMATION The 2SK3116 is N-channel DMOS FET device that features aPART NUMBER PACKAGElow gate charge and excellent switching characteristics, and2SK3116 TO-220ABdesigned for high voltage applications such as switching power2SK3116-S TO-262supply, AC adapter.2SK3116-ZJ TO-
DATA SHEETMOS FIELD EFFECT TRANSISTOR2SK3110SWITCHINGN-CHANNEL POWER MOS FETINDUSTRIAL USEDESCRIPTIONORDERING INFORMATION The 2SK3110 is N channel MOS FET device that features alow on-state resistance and excellent switching characteristics, PART NUMBER PACKAGEand designed for high voltage applications such as DC/DC2SK3110 Isolated TO-220converter, actuator driver.FEAT
8.10. 2sk3113.pdf Size:45K _kexin
8.11. 2sk3112.pdf Size:46K _kexin
SMD Type MOSFETMOS Field Effect Transistor2SK3112TO-263Unit: mmFeatures+0.24.57-0.2Gate voltage rating 30 V+0.11.27-0.1Low on-state resistanceRDS(on) = 110m MAX. (VGS =10 V, input capacitance+0.10.1max1.27-0.1Ciss = 1600 pF TYP. (VDS =10V, VGS =0V)+0.1Avalanche capability rated 0.81-0.12.54Built-in gate protection diode1Gate+0.22.54-0
переделка китайского блока питания
Давным давно, приобрел я с рук сие чудо. Блок питания с регулировкой тока и напряжения. до 5 ампер и до 30 вольт.
Примерно через пол года блок навернулся, и стал выдавать на выходе максимум, что может. Разборка показала следующие конструктивные недоработки.
1- в роли регулирующего элемента применялись 2 транзистора включенных в параллель, без выравнивающих сопротивлений.
2- сами транзисторы крепились к радиатору через толстые слюдяные прокладки без термопасты.
3- радиатор представлял из себя алюминиевую пластину толщиной всего 2 мм, без отверстий стоявшую поперек
корпуса, тем самым полностью перекрывающую сквозное вентилирование и охлаждение компонентов.
Собственно это и привело к перегреву одного транзистора и его пробою. В тот момент мне блок нужен был срочно, поэтому я просто выкинул пробитый транзистор, а радиатор заменил на компьютерный. Думал, что на первое время так сойдет а потом переделаю.
через 5 лет наступило это самое «потом». Я попытался зарядить автомобильный аккумулятор, и бедолага транзистор не вывез максимального тока больше 20 минут. Было решено сделать максимально «круто». Вместо родных транзисторов я решил поставить N3055 в железных корпусах, т.к. они обладали повышенной мощностью.
В роли радиатора я применил массивную медную пластину, толщиной 4 мм. В пластине были два больших отверстия, а сама пластина была меньше по размеру, чем поперечное сечение корпуса, и не препятствовала циркуляции воздуха.
Транзисторы на радиатор крепились без изолирующей прокладки, а только на термопасте, что способствовало лучшему охлаждению. Нужно лишь было изолировать сам радиатор от корпуса. На этот же радиатор разместил диодный мост на 20 ампер, вместо старого пятиамперного, и пара выравнивающих резисторов по 0.1ом.
Токоизмерительный резистор на 0.1 ом был заменен на два параллельно включенных по 0.2 ома, для меньшего нагрева.
Как же я сочувствую тем, кто сам собирает высококачественные усилители звука. Ведь именно на этих транзисторах они делают выходные каскады. Как же сложно им найти качественный оригинал, транзисторы настолько популярны, что их штампуют все, кому не лень.
Опять еду в магазин, покупаю транзисторы, что стояли изначально. D1047. Радиатор решил переделать, взял медный, с толщиной основания 6 мм, и тонкими, частыми ребрами.
Транзистор к3115 чем заменить
добавлю сразу на мосфеты серии АРМ****нужно обращать пристальное внимание
G-ЗАТВОР S-ИСТОК D-СТОК
мосфеты повсеместно используються как силовые транзисторы импульсных и линейных устройств стабилизаторов, регулирующие и переключающие устройства
в этой теме попробуем наглядно обьяснить
как проверить мосфет
как заменить и чем заменить
а так-же собрать минимум информации о аналогах и критичной замене, если получиться то и более
Смотрим даташиты, и в некоторых видим нормированное RDS(ON) при различных VGS (ON).
полевики NTMFS4744N меняются на HAT2165H, замена корректна
Следует однако учесть, что в таких случаях транзисторы обычно находятся на одном теплоотводе, и максимально приближены к друг другу, для наименьшего влияния сопротивления и индуктивности проводников.
На халяву попала видюха(GIGABYT GV-N98TGR-512I),залитая молоком,после промывки и проверки,греются Q521(4744N),Q522,Q545(4835N)-питающие память и сам проц греется. эх не повезло,думал рабочаяя.
.| JMCJ писал: |
| Я профи ремонтом не занимаюсь. поменял на APM 2512N |
Оно и видно. Лучше вам вообще забросить это дело, и заняться чем-то попроще 
| Сообщение Администрации : | ||||||||||||
 Удалено | Видеокарта Sapphire FLEX HD 7950 3GB GDDR5 | Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе |
мне надо найти аналог | Что на них написано? | я бы к 1му посту добавил еще, что быстродействие играет роль (динамические характеристики). «медленный» транзистор будет греться пр работе в ШИМ-преобразователе, даже если у него низкое сопротивление открытого перехода; такой прибор может быть предназначен для работы в статичном режиме (в цепи зарядки, например) | Прошу помощи в поиске аналога,вылетели парой IXTQ22N60P.Стоят в блоке питания в 42 плазме.Даташит в нете есть,а вот с подборкой туго.Может кто сталкивался? стоят в батарейном источнике питания какой то мед приблуды. | IRL3705NS STB80NF55L-08T4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:31 LR024 N STD12NF06LT4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:32 FR9024N STD10PF06T4 Полный аналог Элемент U19. Маркировка: Заранее Всем спасибо за содействие![/b] | Глупый вопрос наверное, но если вместо mosfeta на 100V 10A я поставил 600V 5A, он через себя сможет прокачивать только 5 или 10 ампер? | Здравствуйте, подскажите пожалуйста, будет ли корректная замена мосфета PH7030L на PSMN7R0-30YL, стоит в цепи питания видеокарты | Mordoc, А здеся шо, открытая консультация по мосфетам? Для этого есть собственный раздел по даташитам, см. внимательно титульный лист форума. Элемент U19. Маркировка: |
Код SMD: JB-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9166-25PXL
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/jb
Код SMD: B3-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9169-14PX
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/b3
На видяхе NVIDIA GeForce 9800 GT, PCI-E 2.0, 550 МГц, 1024 Мб GDDR3 1600 МГц 256 бит сгорели (пробило на проч кз на всех выводах) 2шт- M3004D из 6шт все находятся в районе разъёмов vga,подскажите чем можно заменить или нужны только точно такие?
Мать GIGABYTE GA-8I945GZME-RH
Аналогичная ситуация,после неправильного подключения кнопки питания
На картинке оставшиеся заглавные буквы
Так что-же это?!
Транзистор на плате 9435 P-канальный полевик, или N-канальный P3057G QHE11
Заранее благодарю за ответ.
если исток на корпусе то наверняка N ch
если исток на какой либо линии+ питания то P ch
а может то вообще стаб
исток обычно справа снизу если читать надпись
Но и это тоже дня через два закончилосью
Помогите определить что это и каковы его функции
Ну кто нибудь может подсказать что это за транзистор
Помогите пожалуйста подобрать аналог вышедшему из строя мосфету с маркировкой A5 GNE 601V06
Буду благодарен всем кто откликнется.
ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:23
Помогите найти аналог транзисторов
ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:24
Чем заменить транзистор в RGB контроллере?
Добрый день, заказывал из Китая RGB контроллер. При проверке выяснил что постоянно горит зеленый. Оказалось что пробит транзистор. Какой это транзистор, и чем его можно заменить? На транзисторе написанно 2300:
Комментарии 33
Меняй на д пак. Там явно с запасом лучше поставить.
Их можно сдуть с любой старой материнской платы компа. За бесплатно и по току пройдут.
Если в сот23 то надо ток мерять и подбирать по току +запас 15-30%. По желанию.
А от чего такая плата?
по взляду чтото типо эквалайзера для светодиодной ленты, мне предлагали нечто подобное в магазине, музыка играет микрофон улавливает и идет переключение цветов=) сугубо мое мнение=)
Меняй на д пак. Там явно с запасом лучше поставить.
Их можно сдуть с любой старой материнской платы компа. За бесплатно и по току пройдут.
Если в сот23 то надо ток мерять и подбирать по току +запас 15-30%. По желанию.
А от чего такая плата?
Спасибо, это rgb контроллер со звуковой активацией
а как проверить что пробит? что на тестере выставить нужно?
ну скорее всего на диодах он проверил
обычно так проверяют
или по питанию смотрят
а как проверить что пробит? что на тестере выставить нужно?
У меня все время он горит
А! Транзисторы — это sot23 которые на плате. Я думал d-pak которые выпаяны.
Ищите МОП-транзисторы с n-каналом в корпусе sot23 с наименьшим возможным сопротивлением сток-исток, на напряжение не менее 20 вольт, с допустимым напряжением затвор-исток не менее 12 вольт, на ток 4 ампера, примерно.
главное с низким пороговым напряжением затвора — у указанного он 1 В макс.
Пойдут IRLML6344 IRLML6244 IRLML2502. Возможно также будет работать IRLML0030 (хотя у него выше пороговое напряжение)
Спасибо, завтра посмотрю что в магазинах есть
Тема: Выходные транзисторы
Опции темы
Хотелось бы узнать симпатии уважаемых форумчан в отношении биполярных выходных пар. На своей практике испробовал TOSHIBA 2SC5200/2SA1943 и Sanken 2SC2922/2SA1216. Каждый звучит по своему. у Тошибы басок плотнее но неглубокий, в то время как у Sanken наоборот да и с высокими больший порядок. Что еще стоит попробовать?
Спасибо ИГВИН, такой инфо у меня не было.
Ну а если брать в расчет звуковые качества, а не параметры? Ведь уже доказано, что эти вещи не всегда связаны.
Все таки за пальму первенства у Дмитрия Андронникова борятся Санкены и Моторола. Так что же лучше звучит?
Добавлено через 10 минут
Чтобы полноценно заменить биполярник в выходном каскаде, требуется 3..4 параллельно включеных полевика.
Ну нет конечно, менялась вся обвязка. Схема была с токовой ОС (подобна Рыси). Звук и тот и тот был отличным, просто есть нюасы, которые я описал.
Если сравнивать по крутизне, так и есть.
Добавлю от себя. Транзисторы, что я так или иначе использовал в выходных каскадах по своим предпочтениям расположу в следующем порядке:
1) биполярники ONS MJ15024\15025,
2) биполярники ONS MJL21193\21194
3) биполярники Sanken 2SA1215\2SC2921
4) биполярники Sanken 2SA1216\2SC2922
5) биполярники ONS MJL1302\3281
6) биполярники Toshiba 2SA1943\2SC5200
7) полевики Magnatec BUZ900DP\BUZ905DP
8) полевики Hitachi 2SJ49\2SK134
9) биполярники Toshiba 2SA1942\2SC5199
10) полевики Toshiba 2SJ201\2SK1530
11) биполярники Sanken 2SA1186\2SC2837
12) полевики Hitachi 2SJ162\2S1058
13) полевики Toshiba 2SJ115\2SK405
14) IGBT Toshiba GT20D101\GT20D201
15) полевики IR IRF240\IRF9240
Были и иные транзисторы, но указанные типы я имел возможность подбирать и сравнивать в однотипных схемах.
На мой слух все полевики обладают несколько упрощенным звучанием (в примерно равных условиях с биполярами), имеют явные проблемы с басом в виде его рыхлости и гипертрофированности из-за большего выходного сопротивления повторителей, а Тошиба и Ректифаер еще и добавляют некоторую грязь на ВЧ. лучшими из полевиков, мною опробованных, я бы назвал пару 2SJ49\2SK134 при условии соединения параллельно не менее 3. 4 транзисторов в плечо и BUZ900DP\BUZ905DP без параллеленья. Но в любом случае, по моему мнению, MJ15024\15025 и MJL21193\21194 существенно превосходят названные ПТ практически во всех отношениях. Несколько уступают им наиболее мощные санкены, в основном по динамике и управляемости баса и разрешению нижней серединки. На верхних частотах при правильном выборе тока покоя 2SA1215\2SC2921 дают несколько лучшие результаты, но, в общей картине они уступают.