Транзистор кт203 чем заменить

Взаимозаменяемость отечественных транзисторов

Взаимозаменяемость отечественных транзисторов

Приводим транзисторы каждой группы в такой последовательности, что все последующие заменяют все предыдущие. Возможна также обратная замена, но при этом качественные характеристики устройства могут ухудшаться. В скобках указаны транзисторы, снятые с производства.

Высокочастотные германиевые р-п-р транзисторы мжпой мощности: П401, П402, П416, П422, П423, П403, П403А, П423А, ГТ309А-ГТ309Г, ГТ322В-ГТ322Е, ГТ322А, ГТ322Б, ГТ308А, ГТ308В, ГТ313А, ГТ313Б.

Высокочастотные кремниевые п-р-п транзисторы малой мощности: 1$Т301, КТ301А-КТ301В, КТ301Г-КТ301Е, (П501), (П502), (П503), КТ315А-КТ315Г.

Низкочастотные германиевые п-р-п транзисторы малой мощности: (П13), МП39, (П13А), МП39А, (П13Б), МП39Б, (П14), МП40, (П15), МП41, МП41А, (П16), МП42, (П16А), МП42А, (П16Б), МП42Б.

Низкочастотные германиевые п-р-п транз’шггоры малой мощности: (П8), МП35, (П9), МП36, (П10), МП37, (П11), МП38, (П11А), МП38А.

Низкочастотные кремниевые р-л-р транзисторы малой мощности: (П104), МП114, (П105), МП115, (П106), МП116.

Низкочастотные кремниевые п-р-п транзисторы малой мощности: (П101), МП111, (П102), МП112, (П103), МП113.

Низкочастотные германиевые р-п-р транзисторы средней и большой мощное-, ти: ГТ402А, ГТ402Б, (П201), (П201А), (П203), П213А, П213Б, П214В, П214Г.

Низкочастотные германиевые п-р-п транзисторы средней мощности: ГТ404А, ГТ404Б.

Заменяемость отечественных транзисторов старых выпусков на новые

Слева в столбцах даны старые марки транзисторов, справа — новые, которыми

Источник

Транзисторы КТ203 — драгметаллы, характеристики, аналоги

Описание транзистора КТ203

КТ203 – это низкочастотный кремниевый транзистор малой мощности. КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б, 2Т203В, 2Т203Г, 2Т203Д – изготавливается в металлическом корпусе типа КТ-1-7 (TO-18) с гибкими выводами. КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ – в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.

Где можно найти КТ203?

Таблица содержания драгметалла в граммах для транзисторов серии КТ203

ТранзисторЗолото, гр
в 1000 шт
МПГ, гр
в 1000 шт
Золото, гр
в 1000 шт
Н.возвр
МПГ, гр
в 1000 шт
Н.возвр
Золото, гр
в 1 шт
МПГ, гр
в 1шт
Н.возвр
КТ2037,606,4600,00760
КТ203А7,5906,451500,007590
КТ203АМ0,8900,756500,000890
КТ203АМ0,9920,00140,84280,001190,0009920,0000014
КТ203Б7,5906,451500,007590
КТ203БМ0,8900,756500,000890
КТ203В7,5906,451500,007590
КТ203ВМ0,8900,756500,000890

Таблица веса драгметаллов в транзисторе КТ203 в граммах для 1шт и 1000шт, с учётом нормы возврата

Норма возврата. Стоит учесть, после переработки удаётся извлечь не весь драгметалл указанный в паспорте. По этой причине, приведён расчёт учитывая норму возврата (Н.возвр). Были изучены разные источники и собраны средние данные по возврату. Хоть и бывает такое что извлекается почти 100%, ориентироваться на нормы возврата будет более реалистичным. Скупаются радиоэлементы дешевле цены металла в них на 15-50%.

Важный нюанс. Производить изделия могли в разное время и у разных изготовителей, что может сказаться на базовом значении веса драгметалла, а в последствии и на переработанном. РЭА произведённые в более раннем году, имеют более высокие шансы содержать драгметаллы и чаще в большем количестве чем у последующих версий. Прослеживается для любых радиоэлементов в большинстве случаев. Новые же, по причине развития техпроцесса, иногда вовсе без драгметалла.

Расcчитайте вес и примерную цену сдачи РЭА

Цена предлагаемая скупщиками

Посмотрев на расценки, видно что скупщики принимают реле за 50% – 100% от текущей курсовой стоимости драгметалла. Для того чтобы лучше ориентироваться в цене, желательно свериться с актуальной ценой на мировых торговых биржах.

Цены указаны для высшей пробы. В конкретном случае важно понимать, что чем ниже проба, тем меньше стоимость. А так же в зависимости от того по какой цене согласен покупать скупщик.

Примечания относительно цен на драгметаллы.

Надеюсь этим удастся помочь сориентироваться относительно влияния мировых цен на выгодность.

Часто целесообразно такие изделия сдавать на лом после выработки рабочего ресурса, как изделия они стоят иногда существенно дороже.

Стоимость транзистора КТ203 в качестве изделия

Цены в основном распределены от 12 – 80 рублей за штуку. Сильно колеблются в зависимости от характеристик, производителя, года производства, технического состояния, желаний продавца и года выпуска.

Источник

12. Выбор и возможная замена элементов.

ВЫБОР И ВОЗМОЖНАЯ ЗАМЕНА ЭЛЕМЕНТОВ

Приступая к изготовлению того или иного устройства, конструктор прежде всего оценивает свои возможности с точки зрения наличия у него необходимых элементов и, если надо, приступает к поискам недостающих деталей. Однако, прежде чем заняться приобретением элементов, целесообразно составить перечень всех возможных замен и еще раз оценить свои возможности.

Нс следует догматически подходить к использованию обязательно тех типов элементов, о которых говорится в описании конструкции. Обычно автор указывает те типы элементов, которые оказались у него в наличии и которые он применил в устройстве. В подавляющем же большинстве случаев можно предложить ряд аналогов, которые в устройстве будут работать не хуже рекомендуемых.

При замене элементов следует руководствоваться соответствием параметров вновь предлагаемых элементов тем требованиям, которые предъявляют к ним. Обычно достаточно обеспечить такое соответствие всего лишь для двух-трех основных параметров элемента. При поиске возможных замен следует пользоваться данными справочной литературы, список которой приведен в конце книги.

Для резисторов определяющими являются два параметра: номинальное сопротивление и рассеиваемая мощность. В устройствах, описанных в данной книге, во всех случаях допускается отклонение сопротивлений резисторов от указанных на принципиальных схемах в ту или иную сторону на 10. 20 %. При этом следует помнить, что и у самого резистора допускается некоторый разброс сопротивления от номинального значения.

Номинальную мощность резистора выбирают, исходя из рассеиваемой на нем мощности Р, которую можно подсчитать по формуле Р = U /R, где U — действующее значение напряжения на резисторе;

R — сопротивление резистора. Мощность большей части резисторов, использованных в описанных конструкциях, составляет 0,25 Вт. Вместо них во всех случаях можно также применять резисторы мощностью 0,125 Вт. Однако в ряде случаев, главным образом в цепях питания, желательно ставить резисторы большей мощности. Вообще же должен быть некоторый запас по этому параметру, чтобы не допускать нагревания корпуса резистора до высокой температуры, что может вызвать деформацию пластмассового корпуса устройства. Например, для резисторов R 12 и R 13 сигнализатора (по схеме рис. 51) запас по мощности выбран около двух.

При замене конденсаторов следует обращать внимание на их тип, емкость и номинальное напряжение. Практически во всех устройствах телефонной связи оксидные полярные конденсаторы можно заменить обычными неполярными, но они, как правило, имеют большие размеры и массу. При выборе емкости конденсатора следует исходить из тех функций, которые он в данном узле выполняет. Так, емкость конденсаторов, работающих в фильтрах источников питания, всегда может быть больше (по сравнению с указанной на схеме) в несколько раз — вреда от этого не будет. Более внимательно следует подходить к выбору емкости конденсаторов, работающих во времязадающих цепях (генераторы, реле времени). Здесь следует придерживаться правила: произведение емкости конденсатора на сопротивление резистора времязадающсй цепи должно сохраняться неизменным. Так, на телефонном коммутаторе (см. рис. 26) значение частоты генератора DD2.1—DD2.3 (около 400 Гц) обеспечивается при использовании номиналов R 14 и С2 соответственно 8 20 Ом и 0,68 мкф. Такой же эффект работы этой цепи будет при использовании в ней элементов с номиналами 560 Ом и 1 мкф. Но сопротивление резистора R 14 нс должно превышать 1 кОм — это ограничение обусловлено параметрами используемой микросхемы серии К 155 (в основном вытекающим входным током логического элемента).

При выборе номинального напряжения конденсатора необходимо руководствоваться значением максимального напряжения, которое может действовать в данном узле устройства. Так, в уже упоминавшемся коммутаторе номинальное напряжение конденсатора С5 фильтра выпрямителя выбрано равным 50 В, поскольку амплитудное значение выпрямленного напряжения с учетом колебаний напряжения в сети может достигать 30. 35 В. В то же время номинальное напряжение конденсаторов С2, С4, подключенных параллельно эмиттерным переходам транзисторов VT1, VT2 (схема на рис. 18), может быть сколь угодно малым, так как максимальное напряжение между эмиттером и базой каждого транзистора не превышает 1 В. Конденсаторы, работающие в цепях переменного вызывного напряжения, должны быть на номинальное напряжение не менее 60 В.

Для полупроводниковых диодов определяющими параметрами являются максимальное обратное напряжение и максимальный прямой ток. Именно это следует учитывать при замене диодов, работающих в выпрямителях. При замене диодов, работающих в блоке питания с преобразованием частоты, необходимо помимо двух названных параметров учитывать и предельную рабочую частоту диода. Для диодов, работающих, например, в дешифраторе (см. рис. 41), определяющим параметром является прямое напряжение — оно не должно превышать напряжение низкого уровня для данной серии микросхем (для К 155 — не более 0,4 В).

При замене транзисторов учитывают такие их параметры, как предельно допустимое напряжение между коллектором и эмиттером Uкэ mах, максимальный ток коллектора Iк max, минимальное значение статического коэффициента передачи тока базы h21э допустимая рассеиваемая мощность Рmах. В качестве примера рассмотрим вопрос о возможной замене транзисторов переговорного устройства (см. рис. 18). Транзисторы VT1—VT4 управляют электромагнитными реле, напряжение питания которых составляет 20 В. Выберем на

пряжение с запасом 25 В. Максимальный ток потребления реле не более 30 мА (с запасом 50 мА). Таким параметрам удовлетворяют транзисторы КТ501 (Г—М), КТ203 (А,Б), КТ208 (Г—М), КТ209 (Г—М) структуры р-n-р, а также транзисторы КТ312Б, КТ315 (А,В—Е,И), КТ503 с любыми буквами, КТ3117А структуры n-р-n. Транзистор VT5 (КТ315Б) можно заменить практически любым маломощным транзистором структуры n-р-n.

Для электромагнитных реле, используемых в устройствах телефонной связи, определяющими параметрами являются сопротивление обмотки и ток срабатывания, а также число контактных групп. Произведение первых двух параметров указывает напряжение срабатывания реле. Значение напряжения срабатывания реле должно быть на 20. 30 % меньше подводимого к нему для обеспечения надежного срабатывания и удержания якоря реле в условиях возможных вибраций. Ток через обмотку реле не должен превышать предельный коллекторный ток коммутирующего транзистора. Для использования в описанных устройствах можно рекомендовать следующие типы электромагнитных реле:

1) с одной группой переключающих контактов — РЭС10 (паспорта РС4.524.302, РС4.524.314, РС4.524.319), РЭС15 (паспорта РС4.591.004, РС4.591.006, ХП4.591.010, ХП4.591.011, ХП4.591.013, ХП4.591.014), РЭС34 (паспорта РС4.524.372, РС4.524.376), РЭС49 (паспорта РС4.569.000, РС4.569.423, РС4.569.424);

2) с двумя группами переключающих контактов — РЭСб (паспорта РФО.452.103, РФО.452.104), РЭС9 (паспорта РС4.524.200, РС4.524.201, РС4.524.209, РС4.524.213), РЭС37 (паспорта РФ4.510.064, РФ4.510.072), РЭС47 (паспорта РФ4.500.408, РФ4.500.417), РЭС48 (паспорта РС4.590.201, РС4.590.207, РС4.590.213, РС4.590.218), РЭС54 (паспорта ХП4.500.010, ХП4.500.011), РЭС60 (паспорта РС4.569.436, РС4.569.437);

3) с четырьмя группами переключающих контактов — РЭС22 (паспорта РФ4.500.131, РФ4.500.163, РФ4.500.225, РФ4.500.231), РЭС32 (паспорта РФ4.500.342, РФ4.500.343, РФ4.500.354, РФ4.500.355).

Данные реле рассчитаны на напряжения срабатывания 12. 20 В;

возможно применение реле с меньшим напряжением срабатывания — тогда последовательно с обмоткой следует включить ограничивающий резистор.

И наконец, о возможной замене микросхем. В устройствах, о которых рассказывается в книге, использованы ТТЛ-микросхемы и КМОП-микросхемы. Они отличаются всеми основными параметрами: потребляемой мощностью, уровнями напряжения, входными и выходными токами. Поэтому непосредственная замена ТТЛ-микросхем на КМОП-микросхемы и наоборот недопустима. Более просто решается вопрос о замене микросхем ТТЛ их аналогами из микросхем ТТЛ. Наиболее распространены микросхемы ТТЛ серий К 130, К 133, К 155, К 158, К530, К531, К555. Для устройств, базирующихся на КМОП-микросхемах, можно использовать микросхемы серий К164, К176, К561, К564. При замене микросхем учитывают их функциональное назначение, характер выходного каскада (открытый или закрытый) и, конечно, цоколевку.

Источник

Транзистор кт203 чем заменить

КТ203АМ тёмно-красный
КТ209БМ жёлтый
КТ209ВМ тёмно-зелёный

Боковая поверхность всех транзисторов имеет тёмно-красный окрас.
Весит транзистор КТ203 не более 0.5 г.

КТ203 цоколевка

Цоколевка КТ203 показана на рисунке.

Транзистор кт203 чем заменить. Смотреть фото Транзистор кт203 чем заменить. Смотреть картинку Транзистор кт203 чем заменить. Картинка про Транзистор кт203 чем заменить. Фото Транзистор кт203 чем заменить

Электрические параметры транзистора КТ203

Предельные эксплуатационные характеристики транзисторов КТ203

1 При T > +75°C Pк, макс уменьшается линейно.

Источник

Добавить комментарий

Ваш адрес email не будет опубликован. Обязательные поля помечены *

• Коэффициент передачи тока (в режиме малого сигнала)
Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА:
Т = +25°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее9
2Т203Б30 ÷ 90
2Т203В15 ÷ 100
2Т203Г, не менее40
2Т203Д60 ÷ 200
КТ203Б, КТ203БМ30 ÷ 150
КТ203В, КТ203ВМ30 ÷ 200
Т = +125°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее9
2Т203Б30 ÷ 80
2Т203В15 ÷ 200
2Т203Г, не менее40
2Т203Д60 ÷ 400
КТ203Б, КТ203БМ30 ÷ 230
КТ203В, КТ203ВМ30 ÷ 400
Т = −60°C:
КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А, не менее7
2Т203Б15 ÷ 90
КТ203В, 2Т203В, КТ203БМ10 ÷ 100
2Т203Г, не менее20
2Т203Д30 ÷ 200
КТ203В, КТ203ВМ15 ÷ 200
• Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с ОБ
при Uкб = 5 В, Iэ = 1 мА, не менее:
КТ203А, КТ203Б, КТ203В, 2Т203А, 2Т203Б,
2Т203В, КТ203АМ, КТ203БМ, КТ203ВМ
5 МГц
2Т203Г, 2Т203Д10 МГц
• Напряжение насыщения К-Э, не более:
при Iк = 20 мА, Iб = 4 мА для КТ203Б, 2Т203Б, КТ203БМ1 В
при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА для 2Т203Г0.5 В
при Iк = 10 мА, Iб = 1 мА для 2Т203Д0.35 В
при Iк = 20 мА, Iб = 4 мА для КТ203В, КТ203ВМ0.5 В
• Ток коллектора (обратный), при Uкб = Uкб, max, не более:
Т = +25°C1 мкА
Т = Тмакс15 мкА
• Ток эмиттера (обратный), при Uэб = Uэб max, не более1 мкА
• Входное сопротивление в режиме малого сигнала в схеме с общей базой
при Iэ = 1 мА, не более:
при Uкб = 50 В КТ203А, КТ203АМ, 2Т203А300 Ом
при Uкб = 30 В КТ203Б, КТ203БМ, 2Т203Б300 Ом
при Uкб = 15 В КТ203В, КТ203ВМ, 2Т203В300 Ом
при Uкб = 5 В 2Т203Г, 2Т203Д300 Ом
• Ёмкость коллекторного перехода при Uкб = 5 В, f = 10 МГц, не более