Транзистор 70s360p7 чем заменить

Транзистор 70s360p7 чем заменить

Наименование прибора: IPSA70R360P7S

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 59.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 16.4 nC

Время нарастания (tr): 8 ns

Выходная емкость (Cd): 11 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm

IPSA70R360P7S Datasheet (PDF)

IPSA70R360P7SMOSFETIPAK-short lead with ISO-Standoff700V CoolMOS P7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies.The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target costsensitive applications in consumer markets such as charge

IPSA70R900P7SMOSFETIPAK-short lead with ISO-Standoff700V CoolMOS P7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies.The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target costsensitive applications in consumer markets such as charge

7.2. ipsa70r1k4ce.pdf Size:1086K _infineon

IPSA70R1K4CEMOSFETIPAK-short lead with ISO-Standoff700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting mark

IPSA70R600P7SMOSFETIPAK-short lead with ISO-Standoff700V CoolMOS P7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies.The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target costsensitive applications in consumer markets such as charge

IPSA70R750P7SMOSFETIPAK-short lead with ISO-Standoff700V CoolMOS P7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies.The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target costsensitive applications in consumer markets such as charge

IPSA70R1K4P7SMOSFETIPAK-short lead with ISO-Standoff700V CoolMOS P7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies.The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target costsensitive applications in consumer markets such as charge

7.6. ipsa70r600ce.pdf Size:1154K _infineon

IPSA70R600CEMOSFETIPAK-short lead with ISO-Standoff700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting mark

IPSA70R450P7SMOSFETIPAK-short lead with ISO-Standoff700V CoolMOS P7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies.The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target costsensitive applications in consumer markets such as charge

7.8. ipsa70r2k0ce.pdf Size:1086K _infineon

IPSA70R2K0CEMOSFETIPAK-short lead with ISO-Standoff700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting mark

Источник

Транзистор 70s360p7 чем заменить

добавлю сразу на мосфеты серии АРМ****нужно обращать пристальное внимание

G-ЗАТВОР S-ИСТОК D-СТОК
мосфеты повсеместно используються как силовые транзисторы импульсных и линейных устройств стабилизаторов, регулирующие и переключающие устройства
в этой теме попробуем наглядно обьяснить
как проверить мосфет
как заменить и чем заменить
а так-же собрать минимум информации о аналогах и критичной замене, если получиться то и более

Смотрим даташиты, и в некоторых видим нормированное RDS(ON) при различных VGS (ON).

Материнская плата Gigabyte S775 P35 FSB1333
полевики NTMFS4744N меняются на HAT2165H, замена корректна

Можно, если транзисторы одинаковые и из одной партии, в схемотехнике компьютеров нередко это используется, как в линейных так и в импульсных источниках.
Следует однако учесть, что в таких случаях транзисторы обычно находятся на одном теплоотводе, и максимально приближены к друг другу, для наименьшего влияния сопротивления и индуктивности проводников.

Спасибо, просто вариантов быстро купить небыло, пришлось импровизировать, уже стоят родные

Проверка битых полевых транзисторов,нашёл видео-http://www.youtube.com/watch?v=x5oG6XOVBKs
На халяву попала видюха(GIGABYT GV-N98TGR-512I),залитая молоком,после промывки и проверки,греются Q521(4744N),Q522,Q545(4835N)-питающие память и сам проц греется. эх не повезло,думал рабочаяя.

Скорее всего так и было. только ГП греется не цензурно сильно,он крякнул.

Я профи ремонтом не занимаюсь,друг б/у торгует,вот и чиню что могу,но полевик у другой видюхи я вычичлил как на видео,поставил со старой видеокар.,но наверное драйвер(GP5201BQ,если правильно прочитал,видно плохо) не фурычит, а может он и спалил этот полевик(090H03L),поменял на APM 2512N(с другой видюхи),не стартует мамка.Только опыт в карман положу,а видюхю в коробку .

Оно и видно. Лучше вам вообще забросить это дело, и заняться чем-то попроще

Красота. А чё тогда не КТ315А туда поставить? Вместо 80А STripFET™ III Power MOSFET? Вот после таких вот *лять ко мне и приходят ужаренные ноуты и видеокарты, с жуками вместо smd фузов, пробитыми в дыру полевиками и ковырянные 25Вт паяльником 12ти слойные платы.

Ещё вопрос на засыпку,звонятся на коротко D и S в мосфетах на этой видюхе FORCE 30 HD 4830, I же в схеме идёт через ГПу по питанию,значит должно быть сопротивление,а тестер пищит(я полевики не выпаивал),значит пробит(прогорел) канал?Или в схеме так и должно,хотя два из них(9шт) не пищит тестер..Я думаю что им усё уже.

Сообщение Администрации :
Удалено	Видеокарта Sapphire FLEX HD 7950 3GB GDDR5	Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе	павлик 22 писал: Anatoliibad2, Не понятно что надо вам? Или просто транзюки показать какие на видяхе мне надо найти аналог	Что на них написано?	я бы к 1му посту добавил еще, что быстродействие играет роль (динамические характеристики). «медленный» транзистор будет греться пр работе в ШИМ-преобразователе, даже если у него низкое сопротивление открытого перехода; такой прибор может быть предназначен для работы в статичном режиме (в цепи зарядки, например)	Прошу помощи в поиске аналога,вылетели парой IXTQ22N60P.Стоят в блоке питания в 42 плазме.Даташит в нете есть,а вот с подборкой туго.Может кто сталкивался? стоят в батарейном источнике питания какой то мед приблуды.	IRL3705NS STB80NF55L-08T4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:31 LR024 N STD12NF06LT4 Полный аналог ДОБАВЛЕНО 08/04/2016 18:32 FR9024N STD10PF06T4 Полный аналог Элемент U19. Маркировка: J B- DEQ34 фото микрухи: Заранее Всем спасибо за содействие![/b]	Глупый вопрос наверное, но если вместо mosfeta на 100V 10A я поставил 600V 5A, он через себя сможет прокачивать только 5 или 10 ампер?	Здравствуйте, подскажите пожалуйста, будет ли корректная замена мосфета PH7030L на PSMN7R0-30YL, стоит в цепи питания видеокарты	Mordoc, А здеся шо, открытая консультация по мосфетам? Для этого есть собственный раздел по даташитам, см. внимательно титульный лист форума. Элемент U19. Маркировка: J B- DEQ34 фото микрухи:

Код SMD: JB-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9166-25PXL
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/jb

Код SMD: B3-
Корпус: SOT-89
Наименование: RT9169-14PX
Источник: http://www.s-manuals.com/ru/smd/b3

Это RT9166 SOT-89 2.5V 0.3A Ultra-Fast Transient Response LDO Regulator

Всем привет!
На видяхе NVIDIA GeForce 9800 GT, PCI-E 2.0, 550 МГц, 1024 Мб GDDR3 1600 МГц 256 бит сгорели (пробило на проч кз на всех выводах) 2шт- M3004D из 6шт все находятся в районе разъёмов vga,подскажите чем можно заменить или нужны только точно такие?

Добрый день подскажите аналог транзистора 70r900pek6450ygp.

Мать GIGABYTE GA-8I945GZME-RH
Аналогичная ситуация,после неправильного подключения кнопки питания
На картинке оставшиеся заглавные буквы

Так что-же это?!
Транзистор на плате 9435 P-канальный полевик, или N-канальный P3057G QHE11
Заранее благодарю за ответ.

musik,
если исток на корпусе то наверняка N ch
если исток на какой либо линии+ питания то P ch
а может то вообще стаб

исток обычно справа снизу если читать надпись

Я сослепу вместо «m/b ws» посадил «power led» и получил то что получил,но после правильной установки концов все равно все работало еще дня три,потом кнопка включения перестала реагировать но и при этом я путем легкого шевеления остатков обгоревшего транзистора запускал ПК
Но и это тоже дня через два закончилосью

Помогите определить что это и каковы его функции

Ну кто нибудь может подсказать что это за транзистор

Всех с новым годом.
Помогите пожалуйста подобрать аналог вышедшему из строя мосфету с маркировкой A5 GNE 601V06
Буду благодарен всем кто откликнется.

ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:23

Помогите найти аналог транзисторов

ДОБАВЛЕНО 08/01/2017 16:24

чем заменить 9412bgm

Источник

Как подобрать замену для MOSFET-транзистора

На что нужно обратить внимание

Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).

Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.

Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.

Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов

Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.

Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.

Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.

Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора

При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде. Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой. Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник. Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.

Источник

Как подобрать замену для MOSFET-транзистора

Как подобрать замену для MOSFET-транзистора

Для большинства MOSFET-транзисторов достаточно просто подобрать аналоги, схожие по параметрам. Если заменить MOSFET-транзистор на такой же невозможно, то для поиска аналога необходимо:

Изучить схему включения MOSFET-транзистора для определения режима его работы (ключ в цепях коммутации, импульсное устройство, линейный стабилизатор и т.д.).

Найти даташит для неисправного MOSFET-транзистора и заполнить форму для подбора аналога на сайте.

Выбрать наиболее подходящий аналог MOSFET-транзистора, учитывая режим его работы в устройстве.

На что нужно обратить внимание

Открыв PDF-даташит, в первую очередь надо выяснить: тип транзистора (MOSFET или JFET), полярность, тип корпуса, расположение выводов (цоколевку).

Для MOSFET-транзистора важным параметром является сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds). От значения Rds зависит мощность, выделяемая на транзисторе. Чем меньше значение Rds, тем меньше транзистор будет нагреваться.

Однако необходимо помнить, что чем больше Id и меньше Rds, тем больше ёмкость затвора у MOSFET-транзистора. Это приводит к тому, что требуется большая мощность для управления этим затвором. А если схема не обеспечит нужную мощность, то возрастут динамические потери из-за замедленной скорости переключения транзистора и, как итог, MOSFET будет больше нагреваться. Поэтому необходимо проверить температурный режим (нагрев) транзистора после включения устройства. Если транзистор сильно нагревается, то дело может быть как в самом транзисторе, так и в элементах его обвязки.

Расшифровка основных параметров MOSFET-транзисторов

Тип транзистора – в реальных устройствах могут использоваться полевые транзисторы разных типов: транзистор с управляющим p-n – переходом (J-FET) или униполярные транзисторы МДП-типа (MOSFET).

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Vgs) – при подаче на затвор напряжения более допустимого, возможно повреждение изолирующего оксидного слоя затвора (это может быть и статическое электричество). Не стоит использовать транзисторы с большим запасом по напряжениям Vds и Vgs, т.к. обычно они имеют худшие скоростные характеристики.

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id) – следует иметь ввиду, что иногда выводы из корпуса транзистора ограничивают максимально допустимый постоянный ток стока (переключаемый ток может быть больше). С ростом температуры максимально допустимый ток уменьшается.

Общий заряд затвора (Qg) — заряд, который нужно сообщить затвору для открытия транзистора. Чем меньше этот параметр, тем меньшая мощность требуется для управления транзистором.

Выше описаны наиболее важные параметры MOSFET-транзисторов. В даташитах производитель указывает много дополнительных параметров: заряд затвора, ток утечки затвора, импульсный ток стока, входная емкость и др.

Что важно учесть при монтаже MOSFET-транзистора

При работе с MOSFET транзисторами нужно учесть, что они могут быть повреждены статическим электричеством на ваших руках или одежде.

Перед монтажом на печатную плату необходимо соединить выводы транзистора между собой тонкой проволокой.

Для пайки лучше используйте паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник.

Вместо отсоса для удаления припоя используйте медную ленту для удаления припоя. Это уменьшит вероятность пробоя затвора статическим электричеством. Или используйте антистатический браслет.

Источник

Транзистор 70s360p7 чем заменить

Наименование прибора: IPD70R360P7S

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 59.5 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 700 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 16 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3.5 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 12.5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 16.4 nC

Время нарастания (tr): 8 ns

Выходная емкость (Cd): 11 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.36 Ohm

IPD70R360P7S Datasheet (PDF)

0.1. ipd70r360p7s.pdf Size:1188K _infineon

IPD70R360P7SMOSFETDPAK700V CoolMOS P7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies.The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target costsensitive applications in consumer markets such as charger, adapter,lighting, TV

IPD70R900P7SMOSFETDPAK700V CoolMOS P7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies.The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target costsensitive applications in consumer markets such as charger, adapter,lighting, TV

IPD70R1K4CE, IPS70R1K4CEMOSFETDPAK IPAK SL700V CoolMOS CE Power TransistortabtabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and2pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a 13price-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Ligh

IPD70R600P7SMOSFETDPAK700V CoolMOS P7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies.The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target costsensitive applications in consumer markets such as charger, adapter,lighting, TV

8.4. ipd70r2k0ce.pdf Size:949K _infineon

IPD70R2K0CEMOSFETDPAK700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting markets by still meeting high

8.5. ipd70r900p7s.pdf Size:1202K _infineon

IPD70R900P7SMOSFETDPAK700V CoolMOS P7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies.The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target costsensitive applications in consumer markets such as charger, adapter,lighting, TV

IPI70R950CE, IPD70R950CE, IPS70R950CEMOSFETIPAK DPAK IPAK SL700V CoolMOS CE Power Transistortabtab tabCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powerMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and2pioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is a 13price-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplicati

8.7. ipd70r600ce.pdf Size:982K _infineon

IPD70R600CEMOSFETDPAK700V CoolMOS CE Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies. CoolMOS CE is aprice-performance optimized platform enabling to target cost sensitiveapplications in Consumer and Lighting markets by still meeting high

8.8. ipd70r1k4p7s.pdf Size:1003K _infineon

IPD70R1K4P7SMOSFETDPAK700V CoolMOS P7 Power TransistorCoolMOS is a revolutionary technology for high voltage powertabMOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle andpioneered by Infineon Technologies.The latest CoolMOS P7 is an optimized platform tailored to target costsensitive applications in consumer markets such as charger, adapter,lighting, TV

8.9. ipd70r2k0ce.pdf Size:242K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD70R2K0CE,IIPD70R2K0CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)2Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingVery high commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV

8.10. ipd70r1k4ce.pdf Size:243K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD70R1K4CE,IIPD70R1K4CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)1.4Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingVery high commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

8.11. ipd70r600ce.pdf Size:242K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD70R600CE,IIPD70R600CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.6Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingVery high commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

8.12. ipd70r950ce.pdf Size:242K _inchange_semiconductor

isc N-Channel MOSFET Transistor IPD70R950CE,IIPD70R950CEFEATURESStatic drain-source on-resistance:RDS(on)0.95Enhancement mode:100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONFast switchingVery high commutation ruggednessABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNIT

Источник