Транзистор 60r580p чем заменить

Транзистор 60r580p чем заменить

Наименование прибора: MMIS60R580P

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 70 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Время нарастания (tr): 34 ns

Выходная емкость (Cd): 428 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.53 Ohm

Тип корпуса: TO251VS

MMIS60R580P Datasheet (PDF)

0.1. mmis60r580pth.pdf Size:1191K _magnachip

MMIS60R580P Datasheet MMIS60R580P 600V 0.58 N-channel MOSFET Description MMIS60R580P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well

0.2. mmis60r580p.pdf Size:1038K _magnachip

MMIS60R580P Datasheet MMIS60R580P 600V 0.58 N-channel MOSFET Description MMIS60R580P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well

7.1. mmis60r750pth.pdf Size:1257K _magnachip

MMIS60R750P Datasheet MMIS60R750P 600V 0.75 N-channel MOSFET Description MMIS60R750P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well a

7.2. mmis60r900pth.pdf Size:1149K _magnachip

MMIS60R900P Datasheet MMIS60R900P 600V 0.9 N-channel MOSFET Description MMIS60R900P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as

Источник

Ремонт телевизора SAMSUNG UE40H5300AK

Chassis/Version: Ver: IS01

LED backlight: DMGE-400SMA/B-R2(14,07,18)

T-CON: V390HJ1-XRME1, V390HJ5-XCPE1

LED driver (backlight): integrated into PSU; 148V 350mA

MOSFET LED driver: MDD5N40

Power Supply (PSU): BN44-00754A PSLF870G06A L40G0B_ESM

PWM Power: S3330 (FAN6755)

MOSFET Power: 60R580P

IC MainBoard: SENK14 25Q40CLSIP S24C256C F59L1G81A K4B2G164GQ-BCKO

Control: IR: UH5100, BN41-02285A

Общие рекомендации по ремонту TV LCD LED

Ещё раз напоминаем пользователям! Попытки самостоятельного ремонта телевизора SAMSUNG UE40H5300AK без соответствующей квалификации и опыта могут привести к его полной неремонтопригодности!

Ограничение тока драйвера. BN44-00754A. Общая информация

Чтобы уменьшить ток подсветки, можно удалить один из резисторов R9114, R9115, R9116 сборки датчика тока в истоке рабочего ключа. Обычно удаляют R9115 5.6 Ohm.
Либо можно увеличить номинал резистора R9114.

Дополнительно по ремонту MainBoard

Внешний вид MainBoard и замеры напряжений в контрольных точках BN41-02217B:

BN41-02217B может применяться в телевизорах:

SAMSUNG UE40H4200AK (Panel CY-HH040AGLV1V), SAMSUNG UE40H5300AK (Panel CY-HH040BGNV1V), SAMSUNG UE48H4200AK (Panel CY-HH048AGLV1V), SAMSUNG UE40H5003AK UE40H5003 (Panel CY-HH040BGNV1V / V400HJ6-PE1 Rev. C7).

Внешний вид блока питания

Основные особенности устройства SAMSUNG UE40H5300AK:

Информация на этом сайте накапливается из записей ремонтников и участников форумов.
Будьте внимательны! Возможны опечатки или ошибки!

Источник

Транзистор 60r580p чем заменить

Наименование прибора: MMD60R580QRH

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 45 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 13 nC

Время нарастания (tr): 33 ns

Выходная емкость (Cd): 427 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.58 Ohm

MMD60R580QRH Datasheet (PDF)

0.1. mmd60r580qrh.pdf Size:1279K _magnachip

MMD60R580Q Datasheet MMD60R580Q 600V 0.58 N-channel MOSFET Description MMD60R580Q is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as

4.1. mmd60r580q.pdf Size:263K _inchange_semiconductor

Isc N-Channel MOSFET Transistor MMD60R580QFEATURESWith To-252(DPAK) packageLow input capacitance and gate chargeLow gate input resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER VALUE UNITV Drain-Source Vol

5.1. mmd60r580prh.pdf Size:1141K _magnachip

MMD60R580P Datasheet MMD60R580P 600V 0.58 N-channel MOSFET Description MMD60R580P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as

Источник

Транзистор 60r580p чем заменить

Наименование прибора: MMF60R580PTH

Тип транзистора: MOSFET

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 26 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 600 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 18 nC

Время нарастания (tr): 34 ns

Выходная емкость (Cd): 428 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.58 Ohm

MMF60R580PTH Datasheet (PDF)

0.1. mmf60r580pth.pdf Size:1156K _magnachip

MMF60R580P Datasheet MMF60R580P 600V 0.58 N-channel MOSFET Description MMF60R580P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as

4.1. mmf60r580p.pdf Size:199K _inchange_semiconductor

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor MMF60R580PFEATURESLow power lossHigh speed switchingLow on-resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsMotor controlDC DC convertersABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBOL PARAMETER V

MMF60R280Q Datasheet MMF60R280Q 600V 0.28 N-channel MOSFET Description MMF60R280Q is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

8.2. mmf60r360pth.pdf Size:1268K _magnachip

MMF60R360P Datasheet MMF60R360P 600V 0.36 N-channel MOSFET Description MMF60R360P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

8.3. mmf60r360q.pdf Size:1324K _magnachip

MMF60R360Q Datasheet MMF60R360Q 600V 0.36 N-channel MOSFET Description MMF60R360Q is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

8.4. mmf60r115pth.pdf Size:1287K _magnachip

MMF60R115P Datasheet MMF60R115P 600V 0.115 N-channel MOSFET Description MMF60R115P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as

8.5. mmf60r750pth.pdf Size:1049K _magnachip

MMF60R750P Datasheet 1 MMF60R750P 600V 0.75 N-channel MOSFET Description MMF60R750P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well

8.6. mmf60r290pth.pdf Size:1130K _magnachip

MMF60R290P Datasheet MMF60R290P 600V 0.29 N-channel MOSFET Description MMF60R290P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

8.7. mmf60r190pth.pdf Size:1243K _magnachip

MMF60R190P Datasheet MMF60R190P 600V 0.19 N-channel MOSFET Description MMF60R190P is power MOSFET using magnachips advanced super junction technology that can realize very low on-resistance and gate charge. It will provide much high efficiency by using optimized charge coupling technology. These user friendly devices give an advantage of Low EMI to designers as well as l

8.8. mmf60r360qth.pdf Size:200K _inchange_semiconductor

INCHANGE SemiconductorIsc N-Channel MOSFET Transistor MMF60R360QTHFEATURESLow power lossHigh speed switchingLow on-resistance100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSSwitching applicationsMotor controlDC DC convertersAdapterABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(T =25)aSYMBO

Источник

Транзистор 60r580p чем заменить

Телек попал на перенапряжение были выбиты RC201 диод FMN1056S 5A 600V, транзистор Q201 TK10A60, предкондей 120*450 и шим 2RA20113SP. Транзистор заменил на FQPF10N60, диод поставил BY229X-600 600V 8A родного не нашел, шим на R2A20113ASP и предкондей на такой же. Телек включается, проигрывает музыка, появляется подсветка, все напряжения соответствуют схемным, но быстро нагревается транзистор FQPF10N60 за минуту или даже меньше, что не дотронуться до радиатора и продолжает нагреваться и я выключаю ТВ. Обвес весь просматривал все вроде остальное целое не знаю что еще ему не хватает. диод тоже по току и напруге такой, прошу совета о том что мог пропустить, может у кого были такие случаи с таким БП. подскажите что еще копнуть.
Схему БП прилогаю. Пробовал ставить родной транзистор, так родной греется еще сильнее.

ДОБАВЛЕНО 28/08/2017 16:46

ДОБАВЛЕНО 28/08/2017 16:54

Частота и скважность на затворе полевика соответствуют даташиту на оригинальный ШИМ контроллер? Резисторный делитель фидбэка соответствует опорному напряжению фидбэка нового ШИМа?

Телек попал на перенапряжение были выбиты RC201 диод FMN1056S 5A 600V, транзистор Q201 TK10A60, предкондей 120*450 и шим 2RA20113SP.

это не все ИЩИ ДЕФЕКТ.

Телек попал на перенапряжение были выбиты RC201 диод FMN1056S 5A 600V, транзистор Q201 TK10A60, предкондей 120*450 и шим 2RA20113SP.

это не все ИЩИ ДЕФЕКТ.

Так ищу, но пока не видно.

На стол и на лампочки грузи,и прекондей смотреть надо.

Попробуй поставить диод типа MUR460 или SF560-580, или пару SF360 в параллель.

ДОБАВЛЕНО 29/08/2017 07:42

ДОБАВЛЕНО 29/08/2017 07:42

Попробую щас подкинуть емкость, потом диод и повторно буду проверять обвязку. Греется Q201. другие два Q301 и Q302 совсем холодные. Вторая микросхема SSC9513/

Таких в наличии нет заказал SF580. Завтра попробую привезут, но BY229X. тоже superfast recovery tim, for high efficiency, по току немного мощнее 8А

В принципе, должен и он работать, хоть и не видно из даташита, что он суперфаст. С213 в обвязке проверял?

REKKA, они целые, иначе телек бы не включался, и полевик не грелся.

Alex N., они подгорели и изменили свое сопротивление А так да они целые

Ореховский Ю.А., так ты бп проверяешь отдельно или телевизор уже прогоняешь? Мож в телевизоре какой глюк и он рубит бп?

проверяю на лампочках..

ДОБАВЛЕНО 02/09/2017 20:00

ДОБАВЛЕНО 02/09/2017 20:02

Телек нормально говорит и кажет, нареканий нет.

Температура больше не поднимается. отработал 6 часов. оставляю как есть.

Ореховский Ю.А., запиши для себя параметры напряжения что-бы, потом легче было в ремонте

Да уж пожалуй это надо сделать обязательно. записал, а то так не запомнить

Источник