Интернет-справочник основных параметров транзисторов. Аналоги транзистора 2SC3355.

Высказывания:
В области исследований и разработок из трех параметров лишь два можно определить одновременно. 1.Если заданы цель и время для ее достижения, то нельзя угадать, сколько это будет стоить. 2.Если ограничены время и ресурсы, невозможно предсказать, какая часть задания будет выполнена. 3.Если четко ставится цель исследований и выделяется конкретная сумма денег, то нельзя предсказать, когда эта цель будет достигнута. 4.Если же вам повезет и вы сможете точно определить цель, время и стоимость, значит, вы имеете дело не с исследованиями и разработками!
Расширенный принцип Энштейна-Гейзенберга

Справка об аналогах биполярного сверхвысокочастотного npn транзистора 2SC3355.

Можно попробовать заменить транзистор 2SC3355

Коллективный разум.

Добавить аналог транзистора 2SC3355.

Вы знаете аналог или комплементарную пару транзистора 2SC3355? Добавьте. Поля, помеченные звездочкой, являются обязательными для заполнения.

Другие разделы справочника:

Есть надежда, что справочник транзисторов окажется полезен опытным и начинающим радиолюбителям, конструкторам и учащимся. Всем тем, кто так или иначе сталкивается с необходимостью узнать больше о параметрах транзисторов. Более подробную информацию обо всех возможностях этого интернет-справочника можно прочитать на странице «О сайте».
Если Вы заметили ошибку, огромная просьба написать письмо.
Спасибо за терпение и сотрудничество.

Источник

Транзистор 2sc3355 чем заменить

Наименование производителя: 2SC3355

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.6 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 6500 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 35

2SC3355 Datasheet (PDF)

DATA SHEETNPN SILICON RF TRANSISTOR2SC3355NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATIONDESCRIPTIONThe 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has lange dynamic range and good current characteristic.FEATURES Low noise and high gainNF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @ VCE =

NEC’s NPN SILICON HIGH NE856FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:fT = 7 GHz LOW NOISE FIGURE:1.1 dB at 1 GHz HIGH COLLECTOR CURRENT: 100 mA HIGH RELIABILITY METALLIZATION35 (MICRO-X)00 (CHIP) LOW COSTDESCRIPTIONNEC’s NE856 series of NPN epitaxial silicon transistors isdesigned for low cost amplifier and oscillator application

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC3355 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER FEATURES 1* Low Noise and High Gain * High Power Gain TO-92 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SC3355L-T92-B 2SC3355G-T92-B TO-92 B E C Tape Box2SC3355L-T92-K 2SC3355G-T92-K TO-92 B E C Bulk

0.4. 2sc3355.pdf Size:192K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN RF Transistor 2SC3355DESCRIPTION Low NoiseNF = 1.5dB TYP @ VCE=10VIC=7mA f=1GHzHigh Power GainS21e2 = 9.5dB TYP @ VCE=10VIC=20mAf=1GHzMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSThe 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistordesigned for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV b

Источник

Транзистор 2sc3355 чем заменить

Наименование производителя: 2SC3358

Максимальная рассеиваемая мощность (Pc): 0.3 W

Макcимально допустимое напряжение коллектор-база (Ucb): 20 V

Макcимальный постоянный ток коллектора (Ic): 0.1 A

Предельная температура PN-перехода (Tj): 125 °C

Граничная частота коэффициента передачи тока (ft): 7000 MHz

Статический коэффициент передачи тока (hfe): 20

2SC3358 Datasheet (PDF)

DATA SHEETDATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC3356MICROWAVE LOW NOISE AMPLIFIERNPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SC3356 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low(Units: mm)noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic. 2.80.21.50.65+0.1-0.15FEATURES Low Noise and High G

DATA SHEETNPN SILICON RF TRANSISTOR2SC3355NPN EPITAXIAL SILICON RF TRANSISTORFOR HIGH-FREQUENCY LOW-NOISE AMPLIFICATIONDESCRIPTIONThe 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has lange dynamic range and good current characteristic.FEATURES Low noise and high gainNF = 1.1 dB TYP., Ga = 8.0 dB TYP. @ VCE =

DATA SHEETSILICON TRANSISTOR2SC3357NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTORPOWER MINI MOLDDESCRIPTIONPACKAGE DIMENSIONSThe 2SC3357 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for(Unit: mm)low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has large dynamic range and good current characteristic.4.50.11.50.11.60.2FEATURES Low Noise and High GainNF = 1.1 dB TYP.,

NEC’s NPN SILICON HIGH NE856FREQUENCY TRANSISTOR SERIESFEATURES HIGH GAIN BANDWIDTH PRODUCT:fT = 7 GHz LOW NOISE FIGURE:1.1 dB at 1 GHz HIGH COLLECTOR CURRENT: 100 mA HIGH RELIABILITY METALLIZATION35 (MICRO-X)00 (CHIP) LOW COSTDESCRIPTIONNEC’s NE856 series of NPN epitaxial silicon transistors isdesigned for low cost amplifier and oscillator application

2SD1949 / 2SD1484K / 2SC1741STransistorsTransistors2SC3359S(96-678-D15)(SPEC-D16)318

8.6. 2sc3354 e.pdf Size:49K _panasonic

Transistor2SC3354Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplification/oscillation/mixingUnit: mm4.0 0.2FeaturesOptimum for high-density mounting.Allowing supply with the radial taping.High transition frequency fT.markingAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C)1 2 3Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 30 VCollector to emitter voltage

8.7. 2sc3354.pdf Size:45K _panasonic

Transistor2SC3354Silicon NPN epitaxial planer typeFor high-frequency amplification/oscillation/mixingUnit: mm4.0 0.2FeaturesOptimum for high-density mounting.Allowing supply with the radial taping.High transition frequency fT.markingAbsolute Maximum Ratings (Ta=25C)1 2 3Parameter Symbol Ratings UnitCollector to base voltage VCBO 30 VCollector to emitter voltage

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC3356 NPN SILICON TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER DESCRIPTION The UTC 2SC3356 is designed for such applications as: DC/DC converters, supply line switching, battery charger, LCD backlighting,peripheral drivers, Driver in low supply voltage applications (e.g.lamps and LEDs) and inductive load driver (e.g. relays, buzzers and moto

UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD 2SC3355 NPN SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR HIGH FREQUENCY LOW NOISE AMPLIFIER FEATURES 1* Low Noise and High Gain * High Power Gain TO-92 ORDERING INFORMATION Ordering Number Pin Assignment Package Packing Lead Free Halogen Free 1 2 3 2SC3355L-T92-B 2SC3355G-T92-B TO-92 B E C Tape Box2SC3355L-T92-K 2SC3355G-T92-K TO-92 B E C Bulk

8.11. 2sc3356.pdf Size:97K _htsemi

8.12. 2sc3356.pdf Size:277K _gsme

Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.GM3356MAXIMUM RATINGSMAXIMUM RATINGS MAXIMUM RATINGSCharacteristic Symbol Rating Unit Collector-Emitter VoltageVCEO 12 VdcC

2SC3356 SOT-23-3L Transistor(NPN)SOT-23-3L1. BASE 2. EMITTER 2.923. COLLECTOR 0.351.17Features2.80 1.60 Low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. Low Noise and High Gain High Power Gain 0.151.90Dimensions in inches and (millimeters)MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector- Base Voltage 20 V VC

8.14. 2sc3356.pdf Size:402K _wietron

2SC3356High-Frequency Amplifier Transistor3NPN Silicon 1P b Lead(Pb)-Free2FEATURES1. BASE* Low noise amplifier at VHF, UHF and CATV band. 2. EMITTER3. COLLECTOR* Low Noise and High Gain* High Power GainSOT-23MAXIMUM RATINGS (TA=25 unless otherwise noted)Symbol Parameter Value UnitsVCBO Collector- Base Voltage 20 VVCEO Collector-Emitter Voltage 12 VVEBO Emi

8.15. 2sc3356w.pdf Size:656K _blue-rocket-elect

2SC3356W(BR3DG3356W) Rev.C Feb.-2015 DATA SHEET / Descriptions SOT-323 NPN Silicon NPN transistor in a SOT-323 Plastic Package. / Features Low noise and high power gain. / Applications low noise amplifier at VHF, UHF and C

DATA SHEETLESHAN RADIO COMPANY, LTD.DESCRIPTION L2SC3356WT1GThe L2SC3356WT1is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356WT1Glow noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic. 3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Siteand Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capable.

DATA SHEETLESHAN RADIO COMPANY, LTD.L2SC3356LT1GDESCRIPTIONThe L2SC3356LT1 is an NPN silicon epitaxial transistor designed for S-L2SC3356LT1Glow noise amplifier at VHF, UHF and CATV band.It has dynamic range and good current characteristic.3S- Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC-Q101 Qualified and PPAP Capab

8.18. 2sc3356.pdf Size:1256K _kexin

8.19. 2sc3357.pdf Size:1019K _kexin

8.20. gst2sc3356.pdf Size:473K _globaltech_semi

GST2SC3356 High-Frequency Amplifier Transistor NPN Silicon Product Description Features This device is designed as a general purpose Low noise amplifier at VHF, UHF and CATV amplifier and switch. band Low Noise and High Gain High Power Gain Lead(Pb)-FreePackages & Pin Assignments GST2SC3356F(SOT-23) Pin Description1 Base 2 Emitter 3 Collector Marking Informati

8.21. 2sc3356.pdf Size:399K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor 2SC3356DESCRIPTIONLow Noise and High GainNF = 1.1 dB TYP., G = 11 dB TYP.a@V = 10 V, I = 7 mA, f = 1.0 GHzCE CHigh Power GainMAG = 13 dB TYP.@V = 10 V, I = 20 mA, f = 1.0 GHzCE CMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for low noise amplifier at

8.22. 2sc3355.pdf Size:192K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN RF Transistor 2SC3355DESCRIPTION Low NoiseNF = 1.5dB TYP @ VCE=10VIC=7mA f=1GHzHigh Power GainS21e2 = 9.5dB TYP @ VCE=10VIC=20mAf=1GHzMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSThe 2SC3355 is an NPN silicon epitaxial transistordesigned for low noise amplifier at VHF, UHF and CATV b

8.23. 2sc3357.pdf Size:188K _inchange_semiconductor

INCHANGE Semiconductorisc Silicon NPN RF Transistor 2SC3357DESCRIPTIONLow Noise and High GainNF = 1.1 dB TYP., G = 8.0 dB TYP.a@V = 10 V, I = 7 mA, f = 1.0 GHzCE CNF = 1.8 dB TYP., G = 9.0 dB TYP.a@V = 10 V, I = 40 mA, f = 1.0 GHzCE C100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned

8.24. 2sc3353a.pdf Size:197K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3353ADESCRIPTION Collector-Emiiter Sustaining Voltage-: V = 500V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage: V = 1.0V(Max.)@ I = 3ACE(sat) CHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RAT

8.25. 2sc3352.pdf Size:196K _inchange_semiconductor

isc Silicon NPN Power Transistor 2SC3352DESCRIPTION Collector-Emiiter Sustaining Voltage-: V = 500V(Min.)CEO(SUS)Low Collector Saturation Voltage: V = 1.0V(Max.)@ I = 1ACE(sat) CHigh Speed SwitchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationAPPLICATIONSDesigned for high speed switching applications.ABSOLUTE MAXIMUM RATI

8.26. 2sc3353.pdf Size:197K _inchange_semiconductor

Источник

Транзистор C2335

C2335 — кремниевый, со структурой NPN, эпитаксиальный транзистор для высокоскоростных и высоковольтных переключений, общепромышленного применения. Конструктивное исполнение TO-220.

Основная информация предоставлена для KSC2335. В таблице «модификации и группы» расмотрены и другие маркировки транзистора и их отличия между собой.

Корпус и цоколевка

Предназначение

Силовой транзистор в штампованном корпусе разработан для применения в качестве ведущего элемента в релейных регуляторах, преобразователях напряжения, инверторах, преобразователях частоты, высокочастотных усилителях мощности.

Характерные особенности

٭ — измерено при длительности импульса тока 300 мкс и скважности 10%.

Электрические характеристики

٭ — измерено при длительности импульса тока 350 мкс и скважности 2%.

Примечание: данные в таблицах действительны при температуре среды Ta=25°C.

Производитель разделяет транзисторы по величине параметра h_FE2 на группы R, O, Y в пределах указанного диапазона.

Временные параметры

По предназначению, основной режим работы транзистора C2335 – ключевой, с глубоким насыщением и частыми переключениями. Тепловые потери транзистора, работающего в ключевом режиме, во многом определяются потерями на коммутационных интервалах, когда транзистор переходит из проводящего состояния в непроводящее и наоборот. Поэтому все производители таких изделий придают большое значение временным параметрам и приводят их значения в информационных материалах.

Пример схемы измерения временных параметров транзистора.

Импульсы напряжения U_IN длительностью PW = 50 мкс поступают на вход схемы со скважностью ≤ 2%.

“Base current waveform” – диаграмма тока базы во времени.

“Collector current waveform” – диаграмма тока коллектора во времени.

Модификации и группы транзистора 2335

Аналоги

Для замены могут подойти транзисторы кремниевые, со структурой NPN, эпитаксиально-планарные, используемые в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах, преобразователях, стабилизаторах.

Отечественное производство

Зарубежное производство

Примечание: данные в таблицах взяты из даташип-производителя.

Графические иллюстрации характеристик

Рис. 1. Внешняя характеристика транзистора в схеме с общим эмиттером. Зависимость коллекторной нагрузки I_C от напряжения коллектор-эмиттер U_CE при различных токах (управления) базы I_B.

Рис. 2. Зависимость статического коэффициента усиления по току от коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при импульсном напряжении коллектор-эмиттер U_CE = 5 В.

Рис. 3. Зависимости напряжений насыщения коллектор-эмиттер U_CE(sat) и эмиттер-база U_BE(sat) от величины коллекторной нагрузки I_C.

Зависимость снята при соотношении амплитуд импульсов токов коллектора и базы I_C/I_B = 5.

Рис. 4. Снижение предельной токовой нагрузки I_C в области безопасной работы транзистора при увеличении температуры корпуса прибора T_C.

Кривая «Dissipation Limited» — снижение токовой нагрузки в результате общего перегрева п/п структуры.

Кривая «S/b Limited» — снижение токовой нагрузки для исключения вторичного пробоя п/п структуры локально, в местах повышенной плотности тока.

Определение теплового режима транзистора во многом сводится к определению рассеиваемой мощности и соотнесению её с областью безопасной работы транзистора (ОБР). Для транзистора, работающего в ключевом режиме, приходится учитывать потери на коммутационных интервалах, а также ряд особенностей, определяемых реактивными свойствами коллекторной цепи и источника питания.

Рис. 5. Область безопасной работы транзистора, определена при температуре среды T_a = 25°С при нагрузке транзистора одиночными импульсами (Single Pulse) различной длительности: PW = 10 мкс; 50 мкс; 100 мс; 300 мкс; 1,0 мс; 10 мс; 100 мс.

Выделяются 4 участка ограничивающих линий предельного тока коллектора:

Характеристики ОБР по Рис. 5 подходят для анализа безопасной работы транзистора при резистивном или емкостном характере нагрузки, а также при любой нагрузке на интервале проводимости (t_on). См. диаграмму тока коллектора в импульсном режиме выше.

В схеме с индуктивной нагрузкой на коммутационном интервале (t_stg + t_f), при восстановлении непроводящего состояния, возникающие на транзисторе пиковые перенапряжения могут превышать критические значения и вызвать пробой п/п структуры. Для уменьшения перенапряжений вводятся ограничители напряжения: снабберные RC-цепи, активные ограничители и т. п. Для уменьшения потерь (уменьшения длительности коммутационного интервала) в цепь управления (базы) транзистора вводится отрицательное напряжение смещения.

Увеличение напряжений при вводе отрицательного смещения и ограничение коллекторного тока отражаются на конфигурации ОБР. Такая ОБР является неотъемлемой характеристикой работы транзистора в переключающем режиме с индуктивной нагрузкой.

Рис. 6. Область безопасной работы с обратным смещением. Характеристика снята при условии T_c ≤ 100°C.

Увеличение U_CEX(sus) при значительном ограничении тока коллектора – результат ввода ограничителей коммутационных перенапряжений до уровня 450 В.

Условиями безопасной (корректной) работы транзистора в ключевом режиме является выполнение следующих условий:

Источник